中国DRAMの追い上げ：CXMT急成長と合肥クラスターの台頭
合肥を拠点とするChangXin Memory Technologies（CXMT）は設立からわずか10年で、世界の長年の寡占構造に挑み、A株上場初日に株価が465.82％上昇し時価総額が3.2兆元を超えるまでに急成長しましたが、この躍進は単なる市場の追い風ではなく、技術革新と産業戦略が長期的に絡み合った結果だと見られます。
同社は2016年の設立以来、DRAM分野で垂直統合型のIDMモデルを徹底し、研究開発から設計・製造までを社内で一貫して掌握することで、生成AIブームがもたらす前例のないメモリ需要に応える体制を整え、2019年には自社設計・自社製造による8Gb DDR4製品の投入という里程標を打ち立てたうえで、その後数年で4世代のプロセスプラットフォームを量産化し、高性能DDR5製品の統合を進めて世界水準に近づいたと説明しています。
CXMT会長の朱義明氏は「技術ギャップを埋め、サプライチェーンの安全を確保するという使命に駆られ、独自研究開発という困難な道を選んだ」と述べており、この言及の背景には巨額の設備投資と長期的な資本コミットメントを前提にした『飛び級（リープフロッグ）型』の研究開発戦略があり、同社は2023年から2025年にかけて研究開発に206億元以上を投じ、この期間の収益の21.67％を研究開発に充てたと目論見書で示しています。
製造面では合肥と北京で稼働する3基の直径12インチのウエハーファブを運営し、中国国内での生産能力は第1位、世界では第4位にランクされ、2025年第4四半期には世界市場の7.67％のシェアを獲得したとされ、このフルチェーンの自前化が知的財産の蓄積と社内の相乗効果を生み、同社は設計からモジュール応用までをカバーする約7,000件の特許を蓄積する見通しを示しています。
財務面では累積損失が2025年末時点で366.5億元に達していたものの、目論見書によれば今年上半期の純利益は500億元から570億元になる見込みとされており、事業の急速な収益化により短期的な赤字を乗り越えつつあるとの見方が提示されています。
しかしCXMTの台頭は市場原理だけで説明できるものではなく、合肥を中心とした国有資本の継続的な投資といったいわゆる「辛抱強い資本」が不況期にも短期的利回りを追わず長期的な産業育成や雇用維持を優先してきたことが大きな支えとなっており、中国科学技術大学の劉志英教授は、この手法が初期段階で民間が負担しきれない投資ギャップを埋め、産業が成熟するに従って段階的に関与を減らす中国特有の発展モデルを反映していると指摘しています。
制度面でも登録制IPOにより赤字企業の上場が可能となり、CXMTはSTAR Marketの中核企業の一つとして位置付けられ、同社を核にウエハーファウンドリのNexchipやPayton Technologyを含む500社以上が参画する合肥の集積回路産業クラスターが形成され、合肥市の集積回路生産額は2016年の180億元から2025年には1,500億元超へと7倍以上に跳ね上がるなど、上流から下流までを巻き込むエコシステムの拡大が見て取れます。
とはいえ課題も残り、高付加価値分野でのハイエンド人材の不足や、フルチェーン運営に伴う習熟曲線は依然として経営課題であり、これらを克服して製品の高付加価値化と人材育成を進められるかが今後の鍵となります。
また国内ではNANDフラッシュ大手のYangtze Memory Technologies（YMTC）が5月にIPO申請を行っており、両社は中国のメモリ分野の双璧と見做されているところで、南開大学の田立輝教授はCXMTの技術主導によるグローバル市場参入が核心的技術の突破によって産業チェーンを再構築する新たな軌道を示しており、こうした動きが自主革新を持続的成長へとつなげる可能性を指摘しています。
総じて、CXMTの台頭は単発の商業成功を超えて、中国が半導体メモリ分野で独自の道を模索し、技術革新と国家資本の組合せでフルチェーンの競争力を築き上げようとする一連の戦略を象徴しており、今後の市場動向と人材・技術の蓄積がその持続性を左右するといえます。
